51单片机要点

2024-11-19 09:11| 查看: 115| 评论: 0

摘要: 单片机内部资源 STC89C52：8KFLASH、512字节RAM、32个IO口、3个定时器、1个UART、8个中断 Flash(硬盘)——程序存储空间 —— 擦写10万次，断电数据不丢 ...

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单片机内部资源
STC89C52：8KFLASH、512字节RAM、32个IO口、3个定时器、1个UART、8个中断源
|8 i* F% a& y0 g) L6 t& c

Flash(硬盘)——程序存储空间 —— 擦写10万次，断电数据不丢失，读写速度慢
RAM(内存)——数据存储空间 —— 断电数据丢失，读写速度快，无限次使用
SFR —— 特殊功能寄存器

* ^( H0 m3 O# t
6 j) k4 @0 K* N2 k8 ~$ G
单片机最小系统
最小系统：最少组件组成单片机可以工作的系统。
2 i3 y- e4 Z' [" D" X, ?
0 b5 [/ |! u( U& g' U; B: f/ e) Y! u

三要素

电源电路：5V
晶振电路：11.0592MHZ、两个30PF
复位电路：如上图中所示

　　3 o) H9 M0 ]: M8 ~4 c

P0：开漏输出，必须加上拉电阻
强推挽输出：电流驱动能力强
上下拉电阻：上拉电路就是将不确定的信号通过一个电阻拉到高电平，同时限流作用，下拉电阻就是下拉到低电平。
上下拉电阻选取：从降低功耗方面考虑应该足够大，因为电阻越大，电流越小，驱动能力来看，小电阻

( H1 G2 ~5 H# a* z8 g2 A5 X" g: m

硬件基础知识0 ]* i+ T1 r2 z- L1 e0 x1 Z

电磁干扰(EMI)——静电放电(ESD)、快速瞬间脉冲群(EFT)、浪涌(Surge)
去耦电容的使用：低频滤波电容，平常应用最多的事钽电容，电解电容，陶瓷电容，起到去除电源低频纹波，稳定电源的作用；高频滤波电容，电容附近，通常用104电容来进行去除高频干扰
三极管(PNP，NPN) b，c，e：电压驱动、控制应、驱动应用

5 k4 F! Y( ~: J0 Y
( S4 \/ j1 _# {7 Z* m1 o
LED发光二极管 —— 电流驱动
通常红色贴片LED，靠电流驱动，电压1.8V~2.2V，电流1~20mA，在1~5mA亮度有所变化，5mA以上亮度基本不变。9 K( X  t) Q) e1 ]  d

VCC 电压是 5V，发光二极管自身压降大概是 2V，那么在右边 R34 这个电阻上承受的电压就是 3V。# T8 s: M0 Q0 M4 o; l
( T; t6 Z; p  u
R = U/I —— 1~20mA —— R：150~3K

C语言基础/ s$ s7 P  d7 D7 r& r
基本运算符+ - * / % ++ -- = == != += -= 《《》》 && “| ! & | ~ ^7 _& @6 I3 p4 o3 M7 S; g

循环(c语言以表示一条语句)
for/while/do.。.while0 n! b" P$ Z/ P& T
8 w3 _" ]3 N+ i; [
for(表达式1;表达式2;表达式3){语句;//可以为空}while(表达式)//表达式为真，执行语句{语句;//可以为空}do{语句;//可以为空}while(表达式);　　
函数 (模块化的思想)
类型函数名(参数类型参数){函数体;}& q# N: B8 T* v6 j9 }
' A8 B3 q3 f6 S. f  ~
数组( d0 B- A& J) [* `: G% E
具有相同数据类型  d! J% v# [1 C7 D
具有相同的类型在存储器中连续存储
) f, {0 Y3 ^* F1 @3 L  m9 [
51单片机常用延时办法
循环、定时器: y& n- B% ?) W8 e% V' w  C0 p

(P0 = ~(1 《《 i++);)1 v5 h% C, f0 |% f9 q  b

流水灯给IO口一个低电平即可点亮LED灯。（注：单片机对外设的操作其实就是对IO口电平的控制）; X6 ^4 l# [7 Q5 U& b/ F' {

#include//包含特殊功能寄存器定义的头文件typedefunsignedintuint;typedefunsignedcharuchar;intmain(void)
{uinti=0;//定义循环变量i，用于软件延时
ucharj=0;//定义计数变量j，用于移位控制
while(1)//主循环，程序无限循环执行该循环体语句
{P0=~(1《for(i=0;i《20000;++i);//软件延时
if(j》=8)//移位计数超过7后，再重新从0开始
{j=0;}}return0;}

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