| 三极管饱和问题总结： |+ @9 |9 I9 Z2 I: G7 B 1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;倍数越大，饱和程度就越深。* Z/ ?3 a, J q6 | 3 i; p3 ^* A! e 2.集电极电阻 越大越容易饱和;8 K Z; }3 d( }8 e8 F4 r# R 5 u8 I b J5 L8 y9 _ 3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制 问题：基极电流达到多少时三极管饱和? ; A1 ` Y; ^7 m' y. b. j " w5 y# Q8 e F: o& y0 W$ E' H) v, D 1 N+ I. {8 S& ~ E% f. z0 \ 解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5mA，用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA就可以饱和。 对于9013、9012而言，饱和时Vce小于0.6V，Vbe小于1.2V。下面是9013的特性表： 问题：如何判断饱和?1 N) k. C% n! o. @4 }2 O 6 M, N/ \9 e* q. q; K( d- W/ m7 |& E 判断饱和时应该求出基级最大饱和电流IBS，然后再根据实际的电路求出当前的基级电流，如果当前的基级电流大于基级最大饱和电流，则可判断电路此时处于饱和状态。: {# z' u2 }' h& I4 \( N : y" k; Y) @: M- B8 [- d4 x4 l0 R 饱和的条件： 1.集电极和电源之间有电阻存在 且越大就越容易管子饱和;2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。1 n ?. q9 X7 S+ }! Z6 X/ X ! t' D4 q& f/ D9 L% }6 y' n 影响饱和的因素：1.集电极电阻 越大越容易饱和;2.管子的放大倍数 放大倍数越大越容易饱和;3.基集电流的大小; 9 q" I. V# M! C # u7 m- n7 G( ^2 I 饱和后的现象：1.基极的电压大于集电极的电压;2.集电极的电压为0.3左右，基极为0.7左右(假设e极接地) ! \" N2 m$ p- F& v* x2 G 谈论饱和不能不提负载电阻。假定晶体管集-射极电路的负载电阻(包括集电极与射极电路中的总电阻)为R，则集-射极电压Vce=VCC- Ib*hFE*R，随着Ib的增大，Vce减小，当Vce<0.6V时，B-C结即进入正偏，Ice已经很难继续增大，就可以认为已经进入饱和状态 了。当然Ib如果继续增大，会使Vce再减小一些，例如降至0.3V甚至更低，就是深度饱和了。以上是对NPN型硅管而言。! |
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