三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM将于2023年开始量产

2022-12-27 11:01| 查看: 52| 评论: 0|来自: 美通社

摘要: 三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM。这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进 ...

三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM。这一技术突破是通过使用一种新的高介电（high-k）材料来增加电池电容，以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外（EUV）光刻技术，新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度（Die density），可使晶圆生产率提高20%。基于DDR5最新标准，三星12nm级DRAM将解锁高达7.2千兆每秒（Gbps）的速度。与上一代三星DRAM产品相比，12nm级DRAM的功耗降低约23%。